功能描述：MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD

制造商：nexperia usa inc.

系列：汽车级，AEC-Q101

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：637pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：15W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 8A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-DFN2020MD（2x2）

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

标准包装：1

PMPB20UN,115

PMPB20XPE

PMPB20XPE,115

PMPB215ENEAX

PMPB23XNE,115

PMPB27EP,115

PMPB29XNE,115

PMPB29XPE

PMPB29XPE,115

PMPB33XN,115